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刊名 科技新时代
作者 张其远 张骏言 赵升旭 王 涵 姜宇轩 单位 吉林建筑大学 吉林 长春 130000 年,卷(期) 2024年,第4期
主办单位 北京卓众出版有限公司 国内刊号 CN11-3750/N 国际刊号 ISSN1006-981X
入库时间 2024-05-17
第三代半导体材料Ga203简介
作者:张其远 张骏言 赵升旭 王 涵 姜宇轩 时间:2024-05-17 阅读:306
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摘要:随着对大功率、散热、抗干扰器件的要求越来越高,以Ga203为代表的第三代半导体材料登上了舞台,它们共同的特点即是禁带宽度大,热稳定性好、化学稳定性好,加上良好的散热性,使得第三代半导体材料在大功率器件制备等领域的应用前景十分广阔。