摘要：近年来，核技术在国防应用，核医学、环境检测等众多领域扮演越来越重要的角色的同时，核辐射探测技术也得到了更加广泛的研究。SiC材料以其宽禁带、临界击穿电场高、抗辐照特性强等优异性质在辐射探测领域得到了广泛关注，但由于SiC器件晶体存在缺陷，外加电压下，SiC器件产生的泄漏电流对器件辐射探测性能将产生较大影响，因此，本次仿真将研究不同SiO2介电层厚度对SiC辐射探测器泄漏电流的影响。