摘要：随着科学技术的不断发展，人类对半导体材料的认识不断深入，与传统的Si、Ge和GaAs材料对比，以SiC、GaN为代表的第三代宽禁带材料具有禁带宽度大，热导率大和抗辐射能力强等性能优势，近年来，其在高温、高压、高频率和高功率器件等领域得到了更加广泛和深入的研究。