摘要：相比于以Si为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料，以SiC、GaN、Ga203为代表的第三代半导体材料因具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度大、导热性能好等优点近年来在高功率器件领域得到了广泛研究。本文以Ga203材料为研究对象，采用仿真的方法分析了Ga203器件栅下绝缘层厚度对击穿电压的影响。

关键词：Ga203；绝缘层厚度；击穿电压