摘要：场效应晶体管是高压和高频应用的重要组件，如逆变器、放大器和电源开关。本文首先综述了氧化镓半导体的物理性质，然后通过比较击穿电压（Vbr）、跨导（gm）、最大电流密度（Jmax）和通断比以及器件结构，总结了基于氧化镓的FET的器件性能。虽然基于氧化镓的FET的研究仍处于早期阶段，但其材料潜力已被初步揭示。