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刊名 科技新时代
作者 刘进松1 王 娟2 单位 1.济南市半导体元件实验所 250013;2.济南职业学院 山东省 济南市 250103 年,卷(期) 2021年,第11期
主办单位 北京卓众出版有限公司 国内刊号 CN11-3750/N 国际刊号 ISSN1006-981X
入库时间 2021-12-15
半导体淀积工艺及其设备技术探讨
作者:刘进松1 王 娟2 时间:2021-12-15 阅读:131
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摘要:当前半导体工艺发展比较迅速,一些新工艺在实践中得到了广泛应用,薄膜淀积工艺就是当前比较重要的工艺步骤,采用淀积工艺能在硅片上生长各类导电薄膜层以及绝缘薄膜层,此次主要是就半导体淀积工艺和设备技术展开研究,从不同的要点探究其技术工艺,能为技术推广起到积极作用。