摘要：氧化镓(Ga2O3)由于其4.9 eV的超宽带隙、高击穿场强、优异的热、化学稳定性而受到了广泛的关注，特别是在光电子器件领域有独特的优势，其中Ga2O3基日盲紫外探测器具有暗电流低、响应度高、响应速度快等优点。同时，作为一种新型多色发光荧光粉主体材料，其应用于发射显示，如薄膜电致发光(TFEL)显示器、场发射显示器、等离子体显示面板和荧光灯。本文简要介绍了近年来Ga2O3材料的各种器件结构的薄膜(晶体和非晶态)日盲紫外探测器以及荧光粉和电致发光器件的最新进展，讨论了Ga2O3材料应用在光电子器件研究中当前存在的问题和挑战。